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压力传感器的工作原理

半导体式压力传感器的结构与动作说明

●传感器芯片的结构:

    硅芯片受压部(硅隔膜)与通常的IC制作工艺相同,利用杂质扩散原理形成硅应变片.

    当向硅芯片施加压力时,电阻应变片的电阻值会随着其变形而改变,并转换为电信号。(压阻效应)

    

该应变片有灵敏系数较大的特征。(相对于金属应变片的2-3,硅应变片为几10~100)。

    

因此能够得到较高的输出,从而使隔膜的厚度可以制作得更大,提高了压力传感器的耐压性。

 

半导体式压力传感器如:

VDP4, VSW2 (低压用)等

●半导体隔膜式压力传感器的结构与动作说明:

半导体隔膜式压力传感器采用双重隔膜方式,由直接与测量介质接触的高耐腐蚀性金属隔膜(相当于Hastelloy哈氏合金C-22,SUS316L等)与通过封入的硅油检测压力的硅芯片(硅隔膜)构成。

通过压力导入口直接与测量介质接触的是SUS316L隔膜(或相当于Hastelloy哈氏合金C-22等) ,介质(空气、水、油及其他)不会浸入其中,能够稳定测量。[连接螺丝的形状为G3/8时,与配管间采用0型圈密封(氯橡胶) 。]

●特点:

可以制作能够测量正压、负压、连成压、绝对压力的各种传感器元件

直接接触介质的受压部可以采用相当于Hastelloy哈氏合金C-22SUS316L的材料制作,因此,耐腐蚀性能优良

用于检测压力的硅芯片,其隔膜厚度较大,因此,具有优良的耐压性能

●对象机型

    半导体隔膜式压力传感器

VESW、 VESX、 VESY、 VESZ、 VHR3 、 VHG3、 VAR3、 VAG3、

VPRNP。VPNPR, VPNPG, VNF, HSI, HV1, ASI, AV1,

NS1, NV1 , VESI, VESV, VSW2, VST等



应变片式压力传感器的结构与动作说明

应变片式压力传感器的结构与动作说明

●应变片式压力传感器的结构与动作说明

在受压部金属隔膜的内侧粘贴左图的电桥,金属隔膜的形变会随着压力的施加而改变,检测出由此带来的电压变化。

即使在金属隔膜面内,形变量的大小也并不一样,因此采用在四个位置粘电阻的结构,这样即使形变量不均匀,也能准确地进行检测。

●特点:

隔膜采用无焊缝及0型圈接缝的一体式结构,非常坚固,使用寿命长

支持高精度、高温(150℃)的制作

●对象机型

应变片式压力传感器VSD4, NSMS-A6VB, HSSC, HSSC-A6V, VHS, VHST , HSMC2,

VPVTF. VPVQ, VPVQF, VPRF, VFM, VF, VFS. VTRF, VPRF2VPRH2等HSMC。VPE, VPB, VPRT, VPRTF, VPRQ, VPRQF, VPVT,VPVTF,VPVQ,VPVQF,VPRF,VFM,VF,VFS,VTRF,VPRF2,VPRH2等。



薄膜式压力传感器的结构与动作说明

薄膜式压力传感器的结构与动作说明

●薄膜式压力传感器的结构与动作说明

本公司的薄膜式压力传感器为隔膜式,采用金属薄膜应变片。从压力导入口施加压力后,隔膜发生变形,从而使隔膜上形成的金属薄膜应变片产生形变,检测由此产生的电阻值变化。

与应变片式压力传感器相比,可获得更高灵敏度的输出,另外,与半导体式压力传感器相比,具有温度系数小的特点。

●特点

由于温度系数恒定,因此温度特性非常优良

随时间的变化较小,能够得到长期稳定的输出

支持高温环境

●对象机型

.VSW2。VPG8

测量原理

在输入端有电流的状态下,向金属薄膜应变片上施加压力,则在输出端表现出电信号的变化。

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